當(dāng)前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導(dǎo)體專業(yè)檢測(cè)設(shè)備>>晶圓形貌測(cè)量系統(tǒng)>> WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)
WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚,、多層膜厚,。
1,、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness,、TTV,、LTV、BOW,、WARP、TIR,、SORI等參數(shù),同時(shí)生成Mapping圖,;
2,、采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù);
3,、基于白光干涉圖的光譜分析儀,,通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能,;
4,、紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在Wafer不同表面反射并形成干涉,,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),,可適用于測(cè)量BondingWafer的多層厚度,。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度,包括碳化硅,、藍(lán)寶石、氮化鎵,、硅等,。
測(cè)量功能
1,、厚度測(cè)量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化),、LTV、BOW,、WARP,、TIR、SORI,、平面度,、等;
2,、顯微形貌測(cè)量模塊:粗糙度,、平整度、微觀幾何輪廓,、面積,、體積等。
3,、提供調(diào)整位置,、糾正,、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能,。其中調(diào)整位置包括圖像校平,、鏡像等功能;糾正包括空間濾波,、修描,、尖峰去噪等功能,;濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。
4,、WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析,、結(jié)構(gòu)分析,、頻率分析、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高,、距離、角度,、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等,;粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù),;結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷,。
部分技術(shù)規(guī)格
品牌:CHOTEST中圖儀器
型號(hào):WD4000系列
厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng)
可測(cè)材料:砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測(cè)量范圍:150μm~2000μm
掃描方式:Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)
測(cè)量參數(shù):厚度,、TTV(總體厚度變 化),、LTV、BOW,、WARP,、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)
測(cè)量原理:白光干涉
干涉物鏡:10X(2.5X,、5X,、20X、50X,可選多個(gè))
可測(cè)樣品反射率:0.05%~100%
粗糙度RMS重復(fù)性:0.005nm
測(cè)量參數(shù):顯微形貌 ,、線/面粗糙度,、空間頻率等三大類300余種參數(shù)
膜厚測(cè)量系統(tǒng)
測(cè)量范圍:90um(n= 1.5)
景深:1200um
最小可測(cè)厚度:0.4um
紅外干涉測(cè)量系統(tǒng)
光源:SLED
測(cè)量范圍:37-1850um
晶圓尺寸:4"、6",、8",、12"
晶圓載臺(tái):防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái)
X/Y/Z工作臺(tái)行程:400mm/400mm/75mm
如有疑問或需要更多詳細(xì)信息,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢,。
應(yīng)用場景
1,、無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量
通過非接觸測(cè)量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,、粗糙度、總體厚度變化(TTV),,有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性,。
2、無圖晶圓粗糙度測(cè)量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,,測(cè)量穩(wěn)定性良好。
懇請(qǐng)注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,,恕不另行通知,不便之處敬請(qǐng)諒解,。